講演情報
[15a-W2_401-6]SiNマスクを用いたGaN系ナノワイヤ・量子殻構造における成長条件の最適化
〇高橋 拓也1、手島 弘喜1、中川 碧1、山田 航己1、堀田 陽生1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、難波江 宏一2、丹羽 一将2、野中 健太朗3、倉岡 義孝3、吉野 隆史3、飯浜 準也4、楠瀬 好郎4、召田 雅実4 (1.名城大学、2.E＆E Evolution(株)、3.日本ガイシ(株)、4.(株)東ソー)
キーワード：
ナノワイヤ、量子殻デバイス
本研究では、トンネル接合を用いたn-GaN埋め込み型量子殻レーザーの実現に向け、p-GaN層の被覆性向上によるリーク電流低減を検討した。SiNマスクを用いて異常成長を抑制し、p-GaN層を2段階成長させた結果、各ステップの成長時間を最適化することでナノワイヤ全面が被覆され、I-V特性の改善が確認された。