[15a-W2_401-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15a-W2_401-7] Analysis of Current Leakage Paths in n-GaN Buried Multi-Quantum Shell Lasers

〇Koki Yamada¹, Hiroki Teshima¹, Takuya Takahashi¹, Aoi Nakagawa¹, Haruki Hotta¹, Koichi Naniwae², Kazumasa Niwa², Kentaro Nonaka³, Yoshitaka Kuraoka³, Takashi Yoshino³, Jyunya Iihama⁴, Yoshiro Kusunose⁴, Masami Masuda⁴, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ., 2.E&E evolution CO.LTD, 3.NGK INSULATORS, 4.Tosoh Corporation)

Keywords:

nano wire,Semiconductor laser,Multi-quantum shell

本研究では、コアシェル型GaNナノワイヤを用いたn-GaN埋め込み量子殻レーザーの発振に向け、課題となる電流リークの主因特定を目的とした 。MOVPE法で作製したn-GaN埋め込み構造に対し、多点I-V測定とIR-OBIRC解析を実施した結果、面内での特性の著しいバラつきと局所的なリーク箇所を確認した 。これより、p-GaN層の被覆不足等の構造不均一性がリークの主因であると結論付けた 。