講演情報
[15a-W2_401-7]n-GaN 埋め込み量子殻レーザーにおける電流リーク経路の解析
〇山田 航己1、手島 弘喜1、高橋 拓也1、中川 碧1、堀田 陽生1、難波江 宏一2、丹羽 一将2、野中 健太朗3、倉岡 義孝3、吉野 隆史3、飯浜 準也4、楠瀬 好郎4、召田 雅実4、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.イー・アンド・イー・エボリューション(株)、3.日本ガイシ(株)、4.東ソー(株))
キーワード：
ナノワイヤー、半導体レーザー、多重量子殻
本研究では、コアシェル型GaNナノワイヤを用いたn-GaN埋め込み量子殻レーザーの発振に向け、課題となる電流リークの主因特定を目的とした 。MOVPE法で作製したn-GaN埋め込み構造に対し、多点I-V測定とIR-OBIRC解析を実施した結果、面内での特性の著しいバラつきと局所的なリーク箇所を確認した 。これより、p-GaN層の被覆不足等の構造不均一性がリークの主因であると結論付けた 。