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[15a-W2_402-2]Theoretical study on stable atomic configuration of SiSn, GeSn, and SiGe crystals

〇Kouji Sueoka1, Hibiki Bekku2, Yusuke Noda3,4 (1.Okayama Pref. Univ., 2.Grad. School of Okayama Pref. Univ., 3.Kyushu Institute of Technology, 4.Data Science and AI Research Center, Kyushu Institute of Technology)

Keywords:

Group-IV binary semiconductor,Ab initio calculation

SiSn,GeSn,SiGe混晶半導体の安定原子配置に関する理論計算を行っている.25%以上の高濃度におけるこれら3種類の原子配置の類似性と差異を明確にするため,添加元素が第1近接と第2近接を占有していく場合のエネルギー変化について第一原理計算を行った.本講演では,計算結果をふまえて3種類の混晶の安定原子配置が決まるメカニズムを考察する.