講演情報
[15a-W2_402-2]SiSn，GeSn，SiGe混晶半導体の安定原子配置に関する理論的考察
〇末岡 浩治1、別宮 響2、野田 祐輔3,4 (1.岡山県立大情報工、2.岡山県立大院情報系工、3.九工大院情報工、4.九工大DS・AI研究センター)
キーワード：
IV族混晶半導体、第一原理計算
SiSn，GeSn，SiGe混晶半導体の安定原子配置に関する理論計算を行っている．25%以上の高濃度におけるこれら3種類の原子配置の類似性と差異を明確にするため，添加元素が第1近接と第2近接を占有していく場合のエネルギー変化について第一原理計算を行った．本講演では，計算結果をふまえて3種類の混晶の安定原子配置が決まるメカニズムを考察する．