[15a-W2_402-1~7] 15.5 Group IV crystals and alloys

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)

[15a-W2_402-5] Evaluation of multi-carrier transport in high-mobility GeH/Ge(111) structure

〇Hiroka Otomo¹, Takashi Yoshizaki², Hikaru Okuma¹, Yuhsuke Yasutake¹, Susumu Fukatsu¹, Yoshiaki Nakamura², Kazunori Ueno¹ (1.Dept. of Basic Sci., UTokyo, 2.Eng. Sci., UOsaka)

Keywords:

Layered materials,Interface conduction,GeH

GeH/Ge(111)積層膜における高移動度キャリアの起源解明を目的として、膜厚および表面状態を制御した試料の電気輸送特性を調べた。多キャリア輸送解析の結果、高移動度正孔キャリアと低移動度キャリアの寄与を分離できた。RIE処理やXPS測定から、高移動度キャリアは界面起源で再現性が高いことを示す。