[15p-70A_101-1~13] Atomic Layer Process (ALP) analysis and application technologies (3)

5:00 PM - 5:15 PM JST(8:00 AM - 8:15 AM UTC)

[15p-70A_101-10] Process development of area-selective Co-ALD using in-situ spectroscopic ellipsometry

〇Naoki Tamaoki¹, Jun Yamaguchi¹, Noboru Sato¹, Atsuhiro Tsukune¹, Yukihiro Shimogaki¹ (1.Univ. Tokyo)

Keywords:

area selective deposition,spectroscopic ellipsometry,in-situ measurement

ALDの選択性向上にはプロセス初期の表面制御が重要であり、分子層レベルの感度で成長面をその場測定できる分光エリプソメトリは、プロセス開発を加速する強力なツールとなり得る。非成長面であるシリコン酸化膜上にCo膜が成長する初期過程を分光エリプソメトリで解析した結果について報告する。成長面であるCu表面との比較や、インヒビタとしてのNH3添加の可能性についても議論する。