[15p-70A_101-1~13] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（３）

17:00 〜 17:15

[15p-70A_101-10] その場分光エリプソメトリ計測を用いた Co-ALD 選択成長プロセスの開発

〇玉置 直樹¹、山口 潤¹、佐藤 登¹、筑根 敦弘¹、霜垣 幸浩¹ (1.東大院工)

キーワード：

選択成長、分光エリプソメトリ、その場測定

ALDの選択性向上にはプロセス初期の表面制御が重要であり、分子層レベルの感度で成長面をその場測定できる分光エリプソメトリは、プロセス開発を加速する強力なツールとなり得る。非成長面であるシリコン酸化膜上にCo膜が成長する初期過程を分光エリプソメトリで解析した結果について報告する。成長面であるCu表面との比較や、インヒビタとしてのNH3添加の可能性についても議論する。