[15p-70A_101-1~13] Atomic Layer Process (ALP) analysis and application technologies (3)

3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)

[15p-70A_101-6] Significant Improvement of Contact Performance by Low Damage Atomic Layer Etching

〇Akiko Hirata¹, Masanaga Fukasawa¹, Hiroyuki Ota¹, Atsushi Yagishita¹, Tetsuya Ueda¹, Kenzou Manabe¹, Wataru Mizubayashi¹, Yoshihiro Hayashi¹, Meishoku Masahara¹ (1.SFRC AIST)

Keywords:

semiconductor,etching,damage

最先端半導体デバイスではGAAFETからCFETへの移行が検討されており、加工制御は重要な課題である。今回、原子レベルの加工制御を実現するALE (Atomic Layer Etching)を用いたコンタクト特性改善検討を行った。結果、SiO₂ ALE条件はSiO₂ RIEよりSiロス量が少ないにも関わらず、低抵抗化できる事が分かった。高イオンエネルギーが必要なSiO₂ RIE条件では深いダメージ生成によりコンタクト抵抗がALE条件より増加し、歩留まりも劣化する。以上より、コンタクトボトムブレーク加工におけるALEの有効性が示唆された。