[15p-70A_101-1~13] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（３）

15:45 〜 16:00

[15p-70A_101-6] 低ダメージAtomic Layer Etchingによるコンタクト特性改善

〇平田 瑛子¹、深沢 正永¹、太田 裕之¹、八木下 淳史¹、上田 哲也¹、間部 謙三¹、水林 亘¹、林 喜宏¹、昌原 明植¹ (1.産総研 先端半導体研究センター)

キーワード：

半導体、エッチング、ダメージ

最先端半導体デバイスではGAAFETからCFETへの移行が検討されており、加工制御は重要な課題である。今回、原子レベルの加工制御を実現するALE (Atomic Layer Etching)を用いたコンタクト特性改善検討を行った。結果、SiO₂ ALE条件はSiO₂ RIEよりSiロス量が少ないにも関わらず、低抵抗化できる事が分かった。高イオンエネルギーが必要なSiO₂ RIE条件では深いダメージ生成によりコンタクト抵抗がALE条件より増加し、歩留まりも劣化する。以上より、コンタクトボトムブレーク加工におけるALEの有効性が示唆された。