[15p-M_124-1~16] 17.3 Layered materials

4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)

[15p-M_124-10] Effect of Ni_0.19Nb_1.16S₂ as Source/Drain Edge Contacts for Monolayer MoS₂ nFETs

〇Koki Hori^1,2, Wen-Hsin Chang¹, Toshifumi Irisawa¹, Atsushi Ogura^2,3, Naoya Okada¹ (1.SFRC, AIST, 2.Meiji Univ., 3.MREL)

Keywords:

TMDC,MoS2,H2S

我々は、これまでに、Ni_0.19Nb_1.16S₂を単層MoS2-nFETsに適用することで、オン電流の向上を示している。一方で、コンタクト形成技術おいては、積層による面コンタクトのみならず、チャネル部とのエッジコンタクトの有用性や接触面積がトランジスタ特性に与える影響の理解が重要である。本発表では、単層MoS₂チャネルエッジ部へのNi_0.19Nb_1.16S₂コンタクトを検討し、従来金属と比較することで、Ni_0.19Nb_1.16S₂コンタクトの有用性を示す。