[15p-M_124-1~16] 17.3 層状物質

16:30 〜 16:45

[15p-M_124-10] 単層MoS₂トランジスタにおけるNi_0.19Nb_1.16S₂エッジコンタクトの検討

〇堀 幸妃^1,2、張 文馨¹、入沢 寿史¹、小椋 厚志^2,3、岡田 直也¹ (1.産総研 SFRC、2.明治大理工、3.明大MREL)

キーワード：

TMDC、MoS2、H2S

我々は、これまでに、Ni_0.19Nb_1.16S₂を単層MoS2-nFETsに適用することで、オン電流の向上を示している。一方で、コンタクト形成技術おいては、積層による面コンタクトのみならず、チャネル部とのエッジコンタクトの有用性や接触面積がトランジスタ特性に与える影響の理解が重要である。本発表では、単層MoS₂チャネルエッジ部へのNi_0.19Nb_1.16S₂コンタクトを検討し、従来金属と比較することで、Ni_0.19Nb_1.16S₂コンタクトの有用性を示す。