[15p-M_124-1~16] 17.3 Layered materials

5:15 PM - 5:30 PM JST(8:15 AM - 8:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-M_124-13] Electrical Transport Properties of All-2D Anti-Ambipolar Transistor

〇Kentarou Uzawa^1,2, Ryoma Hayakawa², Takuya Iwasaki², Kenji Watanabe², Takashi Taniguchi², Yutaka Wakayama^1,2, Satoshi Moriyama^1,2 (1.Tokyo Denki Univ., 2.NIMS)

Keywords:

Two Dimensional Material,Transition Metal dichalcogenides,Anti-Ambipolar Transistor

本研究では、WSe₂と ReS₂からなる All-二次元材料アンチ・アンバイポーラトランジスタを作製し、その電気伝導特性を評価した。h-BN/グラフェン上に形成したヘテロ構造において、室温下で最大約10⁵の Peak to Valley Ratio（PVR）を観測し、さらにゲート電圧による3桁にわたる PVR 制御に成功した。これらの結果は、二次元材料を用いた AAT デバイス設計に有効な指針を与えると考えられる。