講演情報
[15p-M_124-13]All 2Dで構成されたアンチ・アンバイポーラトランジスタの電気伝導特性評価
〇宇澤 拳太郎1,2、早川 竜馬2、岩﨑 拓哉2、渡邊 賢司2、谷口 尚2、若山 裕1,2、森山 悟士1,2 (1.東京電機大学、2.NIMS)
キーワード：
二次元材料、遷移金属ダイカルコゲナイド、アンチ・アンバイポーラトランジスタ
本研究では、WSe₂と ReS₂からなる All-二次元材料アンチ・アンバイポーラトランジスタを作製し、その電気伝導特性を評価した。h-BN/グラフェン上に形成したヘテロ構造において、室温下で最大約10⁵の Peak to Valley Ratio（PVR）を観測し、さらにゲート電圧による3桁にわたる PVR 制御に成功した。これらの結果は、二次元材料を用いた AAT デバイス設計に有効な指針を与えると考えられる。