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2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-M_124-2]Demonstration of SS < 60 mV/dec P-TFET using Re-substitutionally doped MoSe₂

〇Toshinari Sugiyama¹, Satoru Morito², Ayaka Wakabayashi², Tomonori Nishimura¹, Kaito Kanahashi¹, Takashi Taniguchi³, Kenji Watanabe³, Keiji Ueno², Kosuke Nagashio¹ (1.UTokyo, 2.Saitama Univ., 3.NIMS)

Keywords:

2D semiconductor,Tunnel-FET,doping

低消費電力デバイスであるTunnel-FET（TFET）には，vdW界面を有する2D半導体が有望である．P-TFETの高濃度ソース材には，電界ゲートや欠陥由来の電子ドーピングが用いられてきたが，制御性が悪く実用化には元素置換ドーピング材料が必須である．本研究ではRe置換MoSe₂の詳細な置換評価を行い，本材料をソースとしたP型TFETでSS < 60 mV/decを達成するトンネル動作を実証した．

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[15p-M_124-2]Demonstration of SS < 60 mV/dec P-TFET using Re-substitutionally doped MoSe2

Keywords:

[15p-M_124-2]Demonstration of SS < 60 mV/dec P-TFET using Re-substitutionally doped MoSe₂