講演情報
[15p-M_124-2]Re置換ドープMoSe2によるSS < 60 mV/decのP-TFET動作実証
〇杉山 紀成1、森戸 智2、若林 采佳2、西村 知紀1、金橋 魁利1、谷口 尚3、渡邊 賢司3、上野 啓司2、長汐 晃輔1 (1.東大マテ工、2.埼玉大、3.NIMS)
キーワード：
二次元半導体、トンネルFET、ドーピング
低消費電力デバイスであるTunnel-FET（TFET）には，vdW界面を有する2D半導体が有望である．P-TFETの高濃度ソース材には，電界ゲートや欠陥由来の電子ドーピングが用いられてきたが，制御性が悪く実用化には元素置換ドーピング材料が必須である．本研究ではRe置換MoSe2の詳細な置換評価を行い，本材料をソースとしたP型TFETでSS < 60 mV/decを達成するトンネル動作を実証した．