[15p-M_124-1~16] 17.3 Layered materials

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-M_124-7] Characterization of graphene for realization of ultra-thin gate metal

〇Yuto Noguchi¹, Kensho Matsuda¹, Mengnan Ke², Shohei Kumagai³, Toshihiro Okamoto³, Nobuyuki Aoki¹ (1.Chiba Univ., 2.Yokohama National Univ., 3.Science Tokyo)

Keywords:

two-dimensional material,graphene,atomic layer deposition

最も薄い原子物質であるグラフェンは，バンドギャップを持たないためチャネル材料としては利用できないものの，単層であっても高い導電性を有することから，ゲートスタックにおいて究極の薄さを有するゲート金属層としての利用が期待される．グラフェン上にシード層として有機分子を成膜することで，アルミナ膜の形成が可能となってきた．グラフェンのドーピング効果の検証とバックゲートの動作特性について確認を進めている．