講演情報
[15p-M_124-7]極薄ゲート金属層利用に向けたグラフェンの特性評価
〇野口 裕士1、松田 健生1、柯 梦南2、熊谷 翔平3、岡本 敏宏3、青木 伸之1 (1.千葉大院、2.横国大院、3.科学大院)
キーワード：
二次元物質、グラフェン、原子層堆積法
最も薄い原子物質であるグラフェンは，バンドギャップを持たないためチャネル材料としては利用できないものの，単層であっても高い導電性を有することから，ゲートスタックにおいて究極の薄さを有するゲート金属層としての利用が期待される．グラフェン上にシード層として有機分子を成膜することで，アルミナ膜の形成が可能となってきた．グラフェンのドーピング効果の検証とバックゲートの動作特性について確認を進めている．