[15p-M_124-1~16] 17.3 Layered materials

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-M_124-9] Ni_xNb_yS₂ Contacts for MoS₂-channel nFETs Enabled by Initial Stack Thickness Control

〇Koki Hori^1,2, Wen-Hsin Chang¹, Toshifumi Irisawa¹, Atsushi Ogura^2,3, Naoya Okada¹ (1.SFRC, AIST, 2.Meiji Univ., 3.MREL)

Keywords:

TMDC,MoS2,H2S

我々は、これまでに、積層構造Nb(1 nm)/Ni(1 nm)を硫化し、形成したNi_0.19Nb_1.16S₂を単層MoS2-nFETsに適用することで、オン電流の向上を示している。本発表では、初期Nb/Ni膜厚比を調整することで、単層MoS₂-nFETsの特性に与える影響を調べることにより、Ni_xNb_yS₂コンタクト形成における初期構造Nb/Niの適切な膜厚比を示し、Ni_xNb_yS₂コンタクトが単層MoS₂-nFETsの低抵抗コンタクト材料として有用であることを示す。