講演情報
[15p-M_124-9]単層MoS2チャネルn型トランジスタ向けNixNbyS2コンタクト形成のための初期Nb/Ni膜厚制御
〇堀 幸妃1,2、張 文馨1、入沢 寿史1、小椋 厚志2,3、岡田 直也1 (1.産総研 SFRC、2.明治大理工、3.明大MREL)
キーワード：
TMDC、MoS2、H2S
我々は、これまでに、積層構造Nb(1 nm)/Ni(1 nm)を硫化し、形成したNi0.19Nb1.16S2を単層MoS2-nFETsに適用することで、オン電流の向上を示している。本発表では、初期Nb/Ni膜厚比を調整することで、単層MoS2-nFETsの特性に与える影響を調べることにより、NixNbyS2コンタクト形成における初期構造Nb/Niの適切な膜厚比を示し、NixNbyS2コンタクトが単層MoS2-nFETsの低抵抗コンタクト材料として有用であることを示す。