[15p-S4_203-1~16] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-S4_203-10] Effect of Substrate Impurity Concentration on Interstitial Si and complex defect generated by Trench Processing

〇Koki Tomita¹, Ito Yuta¹, Fujimori Ryota¹, Masuda Taiki¹, Ogura Atsushi^1,2, Ishimura Satoshi³, Kuboi Nobuyuki³, Saga Koichiro³ (1.Meiji Univ., 2.MREL, 3.Sony Semiconductor Solutions Corporation)

Keywords:

Si trench,photoluminescence

3D構造半導体に用いられるプロセス技術としてトレンチ技術は重要である一方で、Si基板のトレンチ形成において格子間Siや、格子間Siに伴う格子間炭素および酸素の複合欠陥の生成が懸念されている。しかし、基板中の酸素および炭素濃度による欠陥の生成過程および拡散挙動の検討は詳細にされていない。よって、基板の酸素および炭素濃度の差異により拡散挙動がどのように変化するかをPL分光法を用いて検討した。