[15p-S4_203-1~16] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[15p-S4_203-10] トレンチ加工で生成する格子間Siおよび複合欠陥に対する基板不純物濃度の影響

〇冨田 昂暉¹、伊藤 佑太¹、藤森 涼太¹、増田 大輝¹、小椋 厚志^1,2、石村 聡³、久保井 信行³、嵯峨 幸一郎³ (1.明治大理工、2.明大 MREL、3.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

キーワード：

Siトレンチ、フォトルミネッセンス

3D構造半導体に用いられるプロセス技術としてトレンチ技術は重要である一方で、Si基板のトレンチ形成において格子間Siや、格子間Siに伴う格子間炭素および酸素の複合欠陥の生成が懸念されている。しかし、基板中の酸素および炭素濃度による欠陥の生成過程および拡散挙動の検討は詳細にされていない。よって、基板の酸素および炭素濃度の差異により拡散挙動がどのように変化するかをPL分光法を用いて検討した。