[15p-S4_203-1~16] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

4:45 PM - 5:00 PM JST(7:45 AM - 8:00 AM UTC)

[15p-S4_203-11] Clarification of the coating mechanism aimed at improving the uniformity of resist coating width in the wafer edge protection process

〇Yuto Shioya¹, Takayoshi Honda¹, Yoshiya Hagimoto¹ (1.Sony Semiconductor Solutions Corp.)

Keywords:

Computational Fluid Dynamics,wafer edge protection process

ウェハエッジ保護プロセスにおいてスピンコート法で用いられるノズルで塗布した場合、塗布幅均一性の悪化が課題となっている。そこで、本研究では実験に加えて塗布シミュレーションを用いて塗布幅均一性が悪化する原因を調査した。その結果、塗布開始時のシーケンスが塗布幅均一性に強い影響を与えており、塗布開始時に発生する局所的なレジストの塗れ広がりが塗布幅均一性の悪化を引き起こしていることがシミュレーションから明らかになった。