講演情報
[15p-S4_203-11]ウェハエッジ保護プロセスにおけるレジストの塗布幅均一性改善に向けた塗布メカニズムの解明
〇塩谷 勇人1、本多 孝好1、萩本 賢哉1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社)
キーワード：
流体シミュレーション、ウェハエッジ保護プロセス
ウェハエッジ保護プロセスにおいてスピンコート法で用いられるノズルで塗布した場合、塗布幅均一性の悪化が課題となっている。そこで、本研究では実験に加えて塗布シミュレーションを用いて塗布幅均一性が悪化する原因を調査した。その結果、塗布開始時のシーケンスが塗布幅均一性に強い影響を与えており、塗布開始時に発生する局所的なレジストの塗れ広がりが塗布幅均一性の悪化を引き起こしていることがシミュレーションから明らかになった。