Presentation Information
[15p-S4_203-14]Ultra-Low-Temperature Formation of Thermal-Oxide-Grade SiO2 via Interface-Driven Self-Organization on Room-Temperature Sputtered SiO2
〇Kohei Sakaike1, Seiichiro Higashi2 (1.NIT, Hiroshima college, 2.Hiroshima Univ.)
Keywords:
SiO2,polysilazane,Interface-Driven Self-Organization
これまでに、パーヒドロポリシラザン (PHPS) 薄膜への低温プラズマジェット照射により、65℃未満で熱酸化級の高品質SiO2薄膜の形成に成功している。さらに、PHPS/Si基板界面のSi-O-Si結合角情報を起点に構造秩序が伝播する、界面駆動型自己組織化 (Interface-Driven Self-Organization: IDSO) モデルを提唱し、その根本原理を明らかにしている。しかし、異種基材への展開には、表面状態の差異による再現性の低下が懸念される。この課題に対し、基材によらず均質なIDSOモデルの界面反応場を提供しうる室温スパッタSiO2薄膜をバッファ層として導入することを提案する。本研究では、スパッタSiO2表面がIDSOモデルの界面反応場として機能するか確認したので報告する。