[15p-S4_203-1~16] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)

[15p-S4_203-9] Fabrication and Electrical Characterization of pn-Junction Tunnel Diodes Using ECR Plasma CVD without Substrate Heating

〇Seima Sato^1,2, Tetsuya Ueno^1,2, Masao Sakuraba^1,2, Shigeo Sato^1,2 (1.Tohoku Univ., 2.RIEC)

Keywords:

Esaki Diode,Epitaxial growth,Doping

基板非加熱でエピタキシャル成長が可能なECRプラズマCVDを用いて、p型Siおよびn型Siの高濃度ドーピング制御を行い、高キャリア密度のpn接合形成を達成した。また、トンネルダイオードを製作し、室温にて負性微分抵抗の発現を確認した。