講演情報
[15p-S4_203-9]基板非加熱ECRプラズマCVDを用いたpn接合トンネルダイオード製作と電気特性
〇佐藤 盛磨1,2、上野 哲弥1,2、櫻庭 政夫1,2、佐藤 茂雄1,2 (1.東北大院工、2.東北大通研)
キーワード：
エサキダイオード、エピタキシャル成長、ドーピング
基板非加熱でエピタキシャル成長が可能なECRプラズマCVDを用いて、p型Siおよびn型Siの高濃度ドーピング制御を行い、高キャリア密度のpn接合形成を達成した。また、トンネルダイオードを製作し、室温にて負性微分抵抗の発現を確認した。