[15p-SL_101-1~17] CS.4 Code-sharing Session of 6.1 & 15.4

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[15p-SL_101-1] [The 59th Young Scientist Presentation Award Speech] Epitaxial growth of cubic boron scandium nitride layers

〇Ryota Maeda¹, Yoshitaka Taniyasu¹, Kazuhide Kumakura¹, Kakeru Ninomiya², Maiko Nishibori², Kazuyuki Hirama¹ (1.NTT BRL, 2.Tohoku Univ.)

Keywords:

Sputtering,Boron nitride,Scandium

次世代パワーデバイス応用に向けて、c-BN系混晶薄膜の精密な組成制御が重要である。本研究では、ダイヤモンド基板上にc-BScN薄膜をスパッタリング法によりエピタキシャル成長し、成長温度によるSc組成制御および成長機構を明らかにした。低温成長ほどScの取り込み量が増加し、高温では相分離が生じることを示した。さらにXAFS解析から、Sc原子はc-BN格子中のBサイトに置換して取り込まれていることが示唆された。