講演情報
[15p-SL_101-1][第59回講演奨励賞受賞記念講演] 立方晶窒化ホウ素スカンジウム(c-BScN)薄膜のエピタキシャル成長
〇前田 亮太1、谷保 芳孝1、熊倉 一英1、二宮 翔2、西堀 麻衣子2、平間 一行1 (1.NTT物性研、2.東北大学)
キーワード：
スパッタリング、窒化ホウ素、スカンジウム
次世代パワーデバイス応用に向けて、c-BN系混晶薄膜の精密な組成制御が重要である。本研究では、ダイヤモンド基板上にc-BScN薄膜をスパッタリング法によりエピタキシャル成長し、成長温度によるSc組成制御および成長機構を明らかにした。低温成長ほどScの取り込み量が増加し、高温では相分離が生じることを示した。さらにXAFS解析から、Sc原子はc-BN格子中のBサイトに置換して取り込まれていることが示唆された。