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5:00 PM - 5:15 PM JST(8:00 AM - 8:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-SL_101-12]Ferroelectric hysteresis of AlScN grown on semiconductors with different doping concentrations

〇Miyu Kawai¹, Ken Shiraishi¹, Kyota Mikami¹, Tunenobu Kimoto¹, Mituaki Kaneko¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

nitride ferroelectrics,SiC,nonvolatile memory

AlScNは高いキュリー温度を有し，高温動作可能な不揮発性メモリ材料として注目されている．本研究は，高温動作可能なSiC論理回路との集積化を見据え，AlScN/SiC構造をゲートに用いた強誘電体トランジスタ（FeFET）に着目した．FeFET動作ではSiC中の空乏層への電界印加を考慮する必要があるので，異なるドーピング密度のSiC上にAlScNを堆積し，強誘電体特性への影響を調べた．

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