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17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[15p-SL_101-12]異なるドーピング密度を有する半導体下地上に成長したAlScNの強誘電体ヒステリシス特性

〇川井望夢¹、白石健¹、三上杏太¹、木本恒暢¹、金子光顕¹ (1.京大工)

キーワード：

窒化物強誘電体、SiC、不揮発性メモリ

AlScNは高いキュリー温度を有し，高温動作可能な不揮発性メモリ材料として注目されている．本研究は，高温動作可能なSiC論理回路との集積化を見据え，AlScN/SiC構造をゲートに用いた強誘電体トランジスタ（FeFET）に着目した．FeFET動作ではSiC中の空乏層への電界印加を考慮する必要があるので，異なるドーピング密度のSiC上にAlScNを堆積し，強誘電体特性への影響を調べた．

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