[15p-SL_101-1~17] CS.4 Code-sharing Session of 6.1 & 15.4

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)

[15p-SL_101-4] Fabrication and characterization of oxygen doped ferroelectric AlBN films

〇Kazuki Okamoto^1,2, Mercer Ian², Hiroshi Funakubo¹, Maria Jon-Paul² (1.Science Tokyo, 2.Penn State)

Keywords:

ferroelectrics,nitrides,thin films

AlN基窒化物強誘電体は100 μCcm^-2を超える大きな自発分極値を有しており、5 nmまでの極薄膜でもその強誘電性の観察が報告されている。これらの窒化物強誘電体では成膜環境などに由来する薄膜中への酸素の取り込みがあり、強誘電特性に大きな影響を及ぼす。本研究では酸素量が制御された成膜雰囲気中でB添加AlN(AlBN)薄膜を作製し、その強誘電性・結晶構造に及ぼす影響を調べた。