[15p-SL_101-1~17] CS.4 6.1 強誘電体薄膜、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

14:30 〜 14:45

[15p-SL_101-4] 酸素添加した窒化物強誘電体AlBN薄膜の作製と評価

〇岡本 一輝^1,2、Mercer Ian²、舟窪 浩¹、Maria Jon-Paul² (1.東京科学大、2.Penn State)

キーワード：

強誘電体、窒化物、薄膜

AlN基窒化物強誘電体は100 μCcm^-2を超える大きな自発分極値を有しており、5 nmまでの極薄膜でもその強誘電性の観察が報告されている。これらの窒化物強誘電体では成膜環境などに由来する薄膜中への酸素の取り込みがあり、強誘電特性に大きな影響を及ぼす。本研究では酸素量が制御された成膜雰囲気中でB添加AlN(AlBN)薄膜を作製し、その強誘電性・結晶構造に及ぼす影響を調べた。