[15p-W2_401-1~14] 15.4 III-V-group nitride crystals

1:45 PM - 2:15 PM JST(4:45 AM - 5:15 AM UTC)

[15p-W2_401-2] [The 47th Paper Award Speech] Monolithic Integration of GaInN-Based RGB µLEDs via Tunnel Junction and Crystal Growth

〇Tatsunari Saito¹, Naoki Hasegawa¹, Keigo Imura¹, Yoshinobu Suehiro¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Daisuke Iida², Kazuhiro Ohkawa² (1.Meijo Univ., 2.KAUST)

Keywords:

micro-LED,RGB-LED,Tunnel junction

次世代ディスプレイ技術としてμLEDが注目されているが、素子集積はピック&プレイスに依存し、同一基板上でのモノリシック集積化は未踏技術であった。GaInNは同一材料系でRGB発光が可能で、トンネル接合により縦集積が可能な唯一の材料系である。本講演では、トンネル接合と結晶成長技術を融合しGaInN系RGBμLEDのモノリシック集積化を実現した成果を報告する。