[15p-W2_401-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

13:45 〜 14:15

[15p-W2_401-2] [第47回優秀論文賞受賞記念講演] トンネル接合と結晶成長によるGaInN系RGBμLEDのモノリシック集積化

〇齋藤 竜成¹、長谷川 直希¹、井村 慧悟¹、末広 好伸¹、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、飯田 大輔²、大川 和宏² (1.名城大理工、2.KAUST)

キーワード：

μLED、RGB-LED、トンネル接合

次世代ディスプレイ技術としてμLEDが注目されているが、素子集積はピック&プレイスに依存し、同一基板上でのモノリシック集積化は未踏技術であった。GaInNは同一材料系でRGB発光が可能で、トンネル接合により縦集積が可能な唯一の材料系である。本講演では、トンネル接合と結晶成長技術を融合しGaInN系RGBμLEDのモノリシック集積化を実現した成果を報告する。