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2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)

[15p-W2_401-5]Fabrication of polyhedral InGaN LED structures covering full-color spectral range toward micro-LED displays

Taiki Ono¹, 〇Yoshinobu Matsuda¹, Mitsuru Funato¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

nitride semiconductor,micro-LED,full color

高輝度・高精細なマイクロLEDディスプレイ実現に向けて，これまで我々は，人為的に形成した多面体型GaNマイクロ構造を用いると，各面上に異なる発光色(緑・青・紫)のInGaN量子井戸(QW)を集積できること，さらに，結晶成長条件・積層構造の制御によりフルカラー成分を集積できることを報告した．本発表では，フルカラーLED動作を目指して，試作したLED構造の結果を報告する．

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