講演情報
[15p-W2_401-5]マイクロLEDディスプレイに向けたフルカラー領域をカバーする多面体型InGaN LED構造の作製
小野 太暉1、〇松田 祥伸1、船戸 充1 (1.京大院工)
キーワード：
窒化物半導体、マイクロLED、フルカラー
高輝度・高精細なマイクロLEDディスプレイ実現に向けて，これまで我々は，人為的に形成した多面体型GaNマイクロ構造を用いると，各面上に異なる発光色(緑・青・紫)のInGaN量子井戸(QW)を集積できること，さらに，結晶成長条件・積層構造の制御によりフルカラー成分を集積できることを報告した．本発表では，フルカラーLED動作を目指して，試作したLED構造の結果を報告する．