[15p-W2_402-1~12] 15.5 Group IV crystals and alloys

4:00 PM - 4:15 PM JST(7:00 AM - 7:15 AM UTC)

[15p-W2_402-10] Temperature Dependence of Surface Morphology and Planarization Mechanism in SiGe Growth on Si(110)

〇(M2)Yuki Yoneyama¹, Noritaka Usami^1,2,3 (1.Grad Eng. Nagoya Univ., 2.InFuS Nagoya Univ., 3.IMaSS Nagoya Univ.)

Keywords:

SiGe,Si(110)

Si(110)面は高い正孔移動度を有し次世代デバイス材料として有望であるが、(100)面と比較して平坦なSiGe薄膜の形成が困難である。高品質な結晶成長には、成長温度が表面拡散や成長モードに与える影響を詳細に理解し、原子レベルでの平坦化制御を行う必要がある。本研究では、GS-MBE法を用いたSi(110)基板上へのSiGe薄膜成長において、表面モルフォロジーの時間発展と温度依存性を調査することで、Si(110)上における成長挙動とそのメカニズムを検討した。