講演情報
[15p-W2_402-10]Si(110)上SiGe成長における表面モルフォロジーの温度依存性と平坦化機構
〇(M2)米山 優希1、宇佐美 徳隆1,2,3 (1.名大院工、2.名大未来機構、3.名大未来研)
キーワード：
SiGe、Si(110)
Si(110)面は高い正孔移動度を有し次世代デバイス材料として有望であるが、(100)面と比較して平坦なSiGe薄膜の形成が困難である。高品質な結晶成長には、成長温度が表面拡散や成長モードに与える影響を詳細に理解し、原子レベルでの平坦化制御を行う必要がある。本研究では、GS-MBE法を用いたSi(110)基板上へのSiGe薄膜成長において、表面モルフォロジーの時間発展と温度依存性を調査することで、Si(110)上における成長挙動とそのメカニズムを検討した。