[15p-W2_402-1~12] 15.5 Group IV crystals and alloys

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-W2_402-4] High-quality GeSn thin films synthesis on universal substrates for near-infrared device applications

〇Shintaro Maeda^1,2, Takamitsu Ishiyama^1,2, Takashi Suemasu¹, Toko Kaoru¹ (1.Univ. of Tsukuba, 2.JSPS Research Fellow)

Keywords:

GeSn,Thin film,Solid phase crystallization

Geは近赤外域に感度を有するIV族半導体として、光デバイス応用が期待されている。我々はこれまで、ガラスなどの汎用基板上に形成した多結晶Ge薄膜の高品質合成に取り組んできた。しかし、膜中に存在する欠陥や粒界がキャリア輸送を阻害し、光電流は依然として小さい。そこで本研究では、Snを添加したGe薄膜において、さらなる低欠陥化および大粒径化を図り、光デバイス用基盤材料としての可能性を検討した。