講演情報
[15p-W2_402-4]近赤外光デバイス応用に向けた汎用基板上GeSn薄膜の高品質合成
〇前田 真太郎1,2、石山 隆光1,2、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大学、2.学振特別研究員)
キーワード：
ゲルマニウムスズ、薄膜、固相成長
Geは近赤外域に感度を有するIV族半導体として、光デバイス応用が期待されている。我々はこれまで、ガラスなどの汎用基板上に形成した多結晶Ge薄膜の高品質合成に取り組んできた。しかし、膜中に存在する欠陥や粒界がキャリア輸送を阻害し、光電流は依然として小さい。そこで本研究では、Snを添加したGe薄膜において、さらなる低欠陥化および大粒径化を図り、光デバイス用基盤材料としての可能性を検討した。