[15p-W2_402-1~12] 15.5 Group IV crystals and alloys

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)

[15p-W2_402-5] Epitaxial Growth of GeSi Films on Solid-Phase-Crystallized Ge and Their Spectral Response

〇Akira Ogawa¹, Shintaro Maeda^1,2, Takashi Suemasu¹, Kaoru Toko¹ (1.Tsukuba Univ., 2.JSPS Research Fellow)

Keywords:

Solid-phase growth,SiGe,Solar cell

汎用基板上に形成したSPC-Ge層上にエピタキシャル成長したGe_1-xSi_x薄膜（x=0–0.3）について、構造および光学特性を評価した。すべての組成においてシード層と同程度の大粒径を維持し、厚膜化と大粒径化を両立した。Geリッチ組成において光電流が得られ、GeリッチGeSi薄膜として分光感度を初めて実証した。また、吸収端の短波長側へのシフトから、Si組成に応じたバンドギャップ調整の可能性が示唆された。