講演情報
[15p-W2_402-5]固相成長Ge上GeSiのエピタキシャル成長と分光感度特性
〇小川 顕1、前田 真太郎1,2、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大、2.学振特別研究員)
キーワード:
固相成長、SiGe、太陽電池
汎用基板上に形成したSPC-Ge層上にエピタキシャル成長したGe1-xSix薄膜(x=0–0.3)について、構造および光学特性を評価した。すべての組成においてシード層と同程度の大粒径を維持し、厚膜化と大粒径化を両立した。Geリッチ組成において光電流が得られ、GeリッチGeSi薄膜として分光感度を初めて実証した。また、吸収端の短波長側へのシフトから、Si組成に応じたバンドギャップ調整の可能性が示唆された。
