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3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-W2_402-8]Surface Roughness Analysis of SiGe Epitaxy on Miscut Si(110) Substrates: Dependence on Miscut Direction and Angle

〇Kiu Inami^1,2, Koji Usuda³, Naoto Kumagai^1,4, Toshifumi Irisawa^1,4, Atsushi Ogura^2,3 (1.SFRC, AIST, 2.Meiji Univ., 3.MREL, Meiji Univ., 4.LSTC)

Keywords:

SiGe,Crystal Growth,Miscut Wafer

次世代GAAFET向けSiGe/Si(110)エピ成長において, 基板オフ条件が成長後表面構造に与える影響を検討した. ⟨100⟩, ⟨110⟩方向にそれぞれ0–10°のオフ角を付与した基板上にSiGeをCVD成長し, AFM, TEMで評価した結果, オフ方向によって異なる角度依存性を示すファセットの形成が確認された. 特に⟨110⟩方向においては6°付近で大規模なファセット構造の転換が生じた.

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