[15p-W2_402-1~12] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[15p-W2_402-8] Si(110)オフ基板上SiGe成長における表面構造のオフ方向・角度依存性評価

〇伊波 希宇^1,2、臼田 宏治³、熊谷 直人^1,4、入沢 寿史^1,4、小椋 厚志^2,3 (1.産総研 SFRC、2.明治大理工、3.明大MREL、4.LSTC)

キーワード：

SiGe、結晶成長、オフ基板

次世代GAAFET向けSiGe/Si(110)エピ成長において, 基板オフ条件が成長後表面構造に与える影響を検討した. ⟨100⟩, ⟨110⟩方向にそれぞれ0–10°のオフ角を付与した基板上にSiGeをCVD成長し, AFM, TEMで評価した結果, オフ方向によって異なる角度依存性を示すファセットの形成が確認された. 特に⟨110⟩方向においては6°付近で大規模なファセット構造の転換が生じた.