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3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-W2_402-9]Strain Effects Induced by Surface Hatch in SiGe Epitaxial Thin Films on (110)Si Substrate

〇Yuta Ito^1,2, Kiu Inami^1,3, Koji Usuda⁴, Naoto Kumagai^3,5, Toshifumi Irisawa^3,5, Atsushi Ogura^1,4 (1.Meiji Univ., 2.JSPS Research Fellow, 3.SFRC, AIST, 4.MREL, 5.LSTC)

Keywords:

SiGe,(110) plane,epitaxial thin film

(110)Si nanosheetチャネルはp型GAAFETにおいて高い正孔移動度を示す一方、SiGe/Si積層構造に起因する歪ばらつきがデバイス特性に影響を与える。本研究では、(110)SiGe/Siヘテロ構造に形成される表面ハッチが歪分布に及ぼす影響を、顕微ラマン分光マッピングにより非破壊で評価した。ハッチに伴う歪緩和は不等間隔かつ<001>方向に対し非対称に分布し、局所的応力状態の乱れが示唆された。膜厚依存性も含め、歪緩和機構について議論する。

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