講演情報

15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[15p-W2_402-9](110)Si基板上SiGeエピタキシャル薄膜の表面ハッチが歪に及ぼす影響

〇伊藤佑太^1,2、伊波希宇^1,3、臼田宏冶⁴、熊谷直人^3,5、入沢寿史^3,5、小椋厚志^1,4 (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.産総研 SFRC、4.明大MREL、5.LSTC)

キーワード：

SiGe、(110)面、エピタキシャル薄膜

(110)Si nanosheetチャネルはp型GAAFETにおいて高い正孔移動度を示す一方、SiGe/Si積層構造に起因する歪ばらつきがデバイス特性に影響を与える。本研究では、(110)SiGe/Siヘテロ構造に形成される表面ハッチが歪分布に及ぼす影響を、顕微ラマン分光マッピングにより非破壊で評価した。ハッチに伴う歪緩和は不等間隔かつ<001>方向に対し非対称に分布し、局所的応力状態の乱れが示唆された。膜厚依存性も含め、歪緩和機構について議論する。

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