[15p-W8E_101-1~13] 13.3 Insulator technology

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)

[15p-W8E_101-2] Stress-relaxation model for thermal oxide films grown on Si (100) at low temperature

〇Eiji Kamiyama^1,2, Koji Sueoka² (1.GlobalWafers Japan Co., Ltd., 2.Okayama Pref. Univ.)

Keywords:

silicon,Thermal Oxidation,First Principles Calculation

本モデルは，低温酸化で最初に形成される酸化膜を，高分解能TEM 観察でも確認されているPseudo-cristobalite構造に基づき，対称性の高いCristobalite(空間群: Fd-3)から出発する．このCristobaliteから，Si基板による膜拘束下におけるSiO4ピラミッドの回転により， その回転軸の違いで生じるCristobalite(空間群 I-42d) とCristobalite(空間群:P41212)を含めた３ 種のcristobalite間における緩和機構のActivation energy を第一原理計算により求め，その結果について考察する．