講演情報
[15p-W8E_101-2]Si（100）面上に低温成長した熱酸化膜の応力緩和モデル
〇神山 栄治1,2、末岡 浩治2 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県立大情報工)
キーワード：
シリコン、熱酸化、第一原理計算
本モデルは，低温酸化で最初に形成される酸化膜を，高分解能TEM 観察でも確認されているPseudo-cristobalite構造に基づき，対称性の高いCristobalite(空間群: Fd-3)から出発する．このCristobaliteから，Si基板による膜拘束下におけるSiO4ピラミッドの回転により， その回転軸の違いで生じるCristobalite(空間群 I-42d) とCristobalite(空間群:P41212)を含めた３ 種のcristobalite間における緩和機構のActivation energy を第一原理計算により求め，その結果について考察する．