[15p-W8E_307-1~16] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)

[15p-W8E_307-12] Formation and Structural Characterization of Si Oxynitride Atomic Layers on m-Plane SiC

〇Jumpei Mori¹, Sultan Kutlu¹, Terao Yutaka², Lin-Lun Yen³, Lu-Shen Hong³, Anton Visikovskiy¹, Satoru Tanaka^1,3 (1.Kyushu Univ., 2.Fuji Electric, 3.Taiwan Tech.)

Keywords:

SiC,m-plane,silicon oxynitride

SiC(0001)面上のSiON原子層膜はSiC-MOSFETにおける界面特性の改善に可能性があり、現在は(1-100)m面トレンチ構造チャネルも実用されつつある。本研究では、4H-SiC(1-100)エピタキシャル基板にN₂アニールを行い、XPS 、LEED、AFMを用いて調べた。XPSよりN-Si結合を示すピークが観察された。また、時間分解PL測定の結果についても報告する。